2019
09-04
当地时间8月6日至8日，美国闪存峰会（Flash Memory Summit）在Santa Clara如期举行。作为专业的闪存存储技术研发公司，宝存科技携Open Channel SSD, Key-Value SSD和基于XL-FLASH的NVMe SSD亮相本次峰会。
亮点一：Open Channel SSD应用成果分享
宝存科技的Open-Channel技术已经在行业得到应用。对此，宝存科技技术总监徐伟就产品在业内的实践应用在ARCH: Open-Channel SSDs for Host-Based Optimization环节做精彩分享，与在场各个主流Open-Channel实践组织/公司交流了宝存科技在内核态（Kernel Mode）Open-Channel的多个特性实现及收益。宝存的Open-Channel方案中将持续开放，除已有的可以供客户直接应用的特性外，宝存将在内核态接口、用户态接口及应用程序接口做更多的开发，方便客户对接更多应用，充分从Open-Channel SSD中受益。
亮点二：展示KV解决方案
基于Open-Channel架构，宝存科技结合KV技术，推出Key-Value SSD。
峰会现场，宝存科技Chief Engineer苗宁忠和大家分享了Key-Value SSD的设计原理和应用案例。Key-Value SSD提供兼容RocksDB的接口，方便大家把基于RocksDB的应用程序移植到Key-Value SSD上。相对于RocksDB, Key-Value SSD设计架构简洁，避免了很多冗余的操作，所以性能有数量级的提升。
亮点三：与东芝合作展示基于XL-FLASH存储产品
此外，继去年在FMS上推出3D XL-FLASH闪存后，东芝与宝存科技合作，在本次峰会现场展示基于东芝XL-FLASH的存储产品，并在东芝展位搭建测试环境做现场体验。
XL-FLASH的低读延迟特性，让基于XL-FLASH的NVMe设备具有低至35微秒的读延迟。在MariaDB对比展示中，随机查询SQL语句较TLC产品降低50%延迟。
另外，XL-FLASH具有至少50K的P/E Cycle，适用于重写入量的业务。在同时需要读延迟和写寿命的应用场景下，可以与3D-XPoint一较高下。
随着闪存技术的不断发展，宝存科技也将不断前行，共筑闪存芯未来。
