宝存科技携定制化新品亮相2019美国闪存峰会

发布时间:2019-09-04

当地时间8月6日至8日,美国闪存峰会(Flash Memory Summit)在Santa Clara如期举行。作为专业的闪存存储技术研发公司,宝存科技携Open Channel SSD, Key-Value SSD和基于XL-FLASH的NVMe SSD亮相本次峰会。

 

亮点一:Open Channel SSD应用成果分享

宝存科技的Open-Channel技术已经在行业得到应用。对此,宝存科技技术总监徐伟就产品在业内的实践应用在ARCH: Open-Channel SSDs for Host-Based Optimization环节做精彩分享,与在场各个主流Open-Channel实践组织/公司交流了宝存科技在内核态(Kernel Mode)Open-Channel的多个特性实现及收益。宝存的Open-Channel方案中将持续开放,除已有的可以供客户直接应用的特性外,宝存将在内核态接口、用户态接口及应用程序接口做更多的开发,方便客户对接更多应用,充分从Open-Channel SSD中受益。

 

亮点二:展示KV解决方案

基于Open-Channel架构,宝存科技结合KV技术,推出Key-Value SSD。

峰会现场,宝存科技Chief Engineer苗宁忠和大家分享了Key-Value SSD的设计原理和应用案例。Key-Value SSD提供兼容RocksDB的接口,方便大家把基于RocksDB的应用程序移植到Key-Value SSD上。相对于RocksDB, Key-Value SSD设计架构简洁,避免了很多冗余的操作,所以性能有数量级的提升。

 

亮点三:与东芝合作展示基于XL-FLASH存储产品

此外,继去年在FMS上推出3D XL-FLASH闪存后,东芝与宝存科技合作,在本次峰会现场展示基于东芝XL-FLASH的存储产品,并在东芝展位搭建测试环境做现场体验。

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XL-FLASH的低读延迟特性,让基于XL-FLASH的NVMe设备具有低至35微秒的读延迟。在MariaDB对比展示中,随机查询SQL语句较TLC产品降低50%延迟。

另外,XL-FLASH具有至少50K的P/E Cycle,适用于重写入量的业务。在同时需要读延迟和写寿命的应用场景下,可以与3D-XPoint一较高下。

 

随着闪存技术的不断发展,宝存科技也将不断前行,共筑闪存芯未来。