集高性能，高可靠性和高可塑性于一身，专为解决高性能应用中的IO瓶颈而量身定制的企业级存储产品。
Shannon Direct-IO™ PCIe Flash基于原生 PCIe 接口，将 NAND 闪存直接接入 PCIe 总线，上层应用通过DMA (Direct Memory Access)直接访问闪存完成数据的实时读写。由于去除了传统SSD的协议转换及RAID控制器，网络协议转换等等系统开销，数据的存储读写延迟大为削减。
Shannon Direct-IO™ PCIe Flash对闪存的读写采用了类似于CPU对内存DRAM 的读取存储方式，去除了冗余的传统SAS或SATA存储协议，并完全避免使用可靠性相对较低的嵌入式CPU和DRAM，大大地减少了系统开销和可能失效点数目，形成了高效和可靠的系统架构。
Shannon Direct-IO™ PCIe Flash在用户数据写入时采用了随机化引擎，将用户数据完全动态随机化后再存入闪存介质，减低了对闪存的磨损，保证了用户数据的存储可靠性。
闪存在数据读写的过程中会出现偶发性的随机错误，其误码率与数据在写入闪存后的存储时间和所在物理块的读写擦除次数有关。Direct-IO卡采用高品质闪存和高可靠的40bit/1KB BCH纠错码，充分满足NAND对纠错码的要求。
为延长系统的使用寿命，保证数据有效性，宝存采用了动态智能的磨损均衡技术：去除由于热点数据造成的物理块热点，使得闪存中每一物理块都得到充分的利用。同时，在系统设计中，宝存对磨损均衡算法做了优化， 最小化磨损均衡造成的数据拷贝，从而减小了写放大因子，进一步延长了系统的使用寿命，增强了可靠性。
在设计中，所有数据的误码率会被实时监测，一旦某一页面的数据可靠性低于设定的预警值, 该数据页面将被自动刷新。这一动态刷新机制减小了数据出错或丢失的可能性。由于拷贝刷新的过程是在背景中执行的，这些操作对用户而言完全透明。
我们在数据写入时的第一个环节产生CRC校验码，同时，软件层也产生一个唯一标识ID。在数据读出时，CRC码和唯一标识ID在不同层面独立校验，从统计意义上消除ECC的误纠错可能性，并且确保读出时数据与写入时的完全一致性和完整实时性。
在突发掉电情况发生的时候，断电检测电路模块实时监控存储卡的电源供给情况，一旦检测到电源供给产生突变，写入抢占电路会被启动。紧急写入过程至多不超过5毫秒，不需要使用超级电容或者备份电池，最大程度上减少了系统维护开销，减少了失效点，从而增强了系统可靠性和耐用性。
Shannon Direct-IOT™ PCIe Flash上安装了多个温度传感器，并设计了纯硬件的温度保护逻辑，在温度上升到第一警戒点时，自动降低读写速度。如果温度进一步升高至第二警戒点时，所有读写操作暂停以防止电路过热损坏及影响Flash中数据有效性。同理，当温度下降后，所有操作自动恢复进行。全过程无须用户干预，对于用户而言完全透明。
集高性能，高可靠性和高可塑性于一身，专为解决高性能应用中的IO瓶颈而量身定制的企业级存储产品。
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